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SI4980DY-T1-E3

产品描述MOSFET 80V 3.7A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4980DY-T1-E3在线购买

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SI4980DY-T1-E3概述

MOSFET 80V 3.7A 2W

SI4980DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Si4980DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
80
R
DS(on)
(Ω)
0.075 at V
GS
= 10 V
0.095 at V
GS
= 6.0 V
I
D
(A)
3.7
3.2
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
S
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
Ordering Information:
Si4980DY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4980DY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
80
± 20
3.7
2.9
30
1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Symbol
R
thJA
Limit
62.5
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Document Number: 70646
S09-0869-Rev. E, 18-May-09
www.vishay.com
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