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LN1WBA60

产品描述Rectifiers Bridge
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小233KB,共4页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
标准
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LN1WBA60概述

Rectifiers Bridge

LN1WBA60规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SHINDENGEN
零件包装代码DIP
包装说明R-PDIP-T4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码R-PDIP-T4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流0.00001 µA
最大反向恢复时间5 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMD/DIP
Bridge Diode
■外観図 
OUTLINE
Package
1W
SMD
10.2
品名略号
Type No.
④−
①+
LN1WBA60
600V 1.1A
特長
• ½ノイズ
• 小型 SMDパッケージ
または
• 小型 D
I
P パッケージ
Unit : mm
LNWB
6030
6.2
級表示
(例)
Class
ロッ
ト記号
(例)
Date code
③∼
②∼
• Low Noise
• Small-SMD
or
• Small-D
I
P
3.1
Feature
Package
1W(DIP)
10.2
品名略号
Type No.
④−
Unit : mm
①+
LNWB
603D
6.2
ロッ
ト記号
(例)
Date code
3.0
③∼
②∼
級表示
(例)
Class
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the
Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the
■定格表
RATINGS
■定格表 
RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings(
指定のない場合
Tl = 25℃/
unless otherwise speci
項  目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
単½
Unit
V
A
A
A
2
s
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
50Hz 正弦波,抵抗負荷,Ta =25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta= 25℃
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj =25℃
1ms≦t<10ms,Tj = 25℃, 1素子½たりの規格値
per diode
品 名
Type No.
LN1WBA60
−40∼150
150
600
1.1
50
6
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics(
指定のない場合
Tl = 25℃/
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
逆回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
V
μA
μs
℃/W
V
F
I
R
trr
θjl
θja
パルス測定,1素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R=
V
RM, パルス測定,1素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
1素子½たりの規格値
I
F=
0.1A, I
R
= 0.1A,
per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
I
F =
0.55A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
1.00
10
5
10
65
(J534-p
〈2014.03〉

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