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IRF841R

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,8A I(D),TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小187KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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IRF841R概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,8A I(D),TO-220AB

IRF841R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

IRF841R相似产品对比

IRF841R IRF841 IRF842R IRF840R IRF843R
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,8A I(D),TO-220AB TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,8A I(D),TO-220AB TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,7A I(D),TO-220AB TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,8A I(D),TO-220AB TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,7A I(D),TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
配置 Single Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8 A 8 A 7 A 8 A 7 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Base Number Matches 1 1 1 - -
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