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5082-2207

产品描述Mixer Diode, Medium Barrier, 500ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小21KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-2207概述

Mixer Diode, Medium Barrier, 500ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon,

5082-2207规格参数

参数名称属性值
包装说明S-CXMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大阻抗500 Ω
最小阻抗250 Ω
JESD-30 代码S-CXMW-F4
最大噪声指数6 dB
元件数量1
端子数量4
最大工作频率18 GHz
最小工作频率1 GHz
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散0.125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
肖特基势垒类型MEDIUM BARRIER
Base Number Matches1

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5082-2207
SCHOTTKY MEDIUM BARRIER DIODE
PACKAGE STYLE
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2207
is a Medium Barrier
Schottky Diode designed for General
Purpose Mixer Applications.
FEATURES INCLUDE:
Small size
Low noise fugure
MAXIMUM RATINGS:
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
125 mW @ T
A
= 25 °C
-65 °C to +150 °C
-65 °C to +150 °C
1000 °C/W
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
NF
Z
IF
SRW
C
J
TSS
γ
R
V
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
DC Load Resistance = 0
L.O. Power = 1.0 mW
V
R
= 0 V
20µA Bias
Video Bandwith = 2.0 MHz
P
IN
= -40 dBm
f = 10 GHz
I
F
= 30 MHz
MINIMUM
200
TYPICAL
MAXIMUM
6.0
400
1.5:1
UNITS
DB
---
pF
dBm
mV/µW
0.18
-54
6.6
1400
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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