Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BCX-68-16-E6327

BCX-68-16-E6327: 产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小515KB，共7页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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BCX-68-16-E6327概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

BCX-68-16-E6327规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-89-4
Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V
Collector- Base Voltage VCBO	25 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Maximum DC Collector Current	2 A
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	1 A
高度 Height	1.5 mm
长度 Length	4.5 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	3 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000
宽度 Width	2.5 mm
单位重量 Unit Weight	0.004603 oz

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BCX68...

NPN Silicon AF Transistors

•

For general AF applications

•

High collector current

•

High current gain

•

Low collector-emitter saturation voltage

•

Complementary type: BCX69 (PNP)

•

Pb-free (RoHS compliant) package

•

Qualified according AEC Q101

Type

BCX68-10

BCX68-16

BCX68-25

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Marking

1=B

Pin Configuration

2=C

3=E

Package

SOT89

Symbol

CEO

CBO

EBO

tot

stg

Symbol

thJS

Value

100

200

150

-65 ... 150

Value

≤

Unit

°C

Peak collector current,

≤

10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

≤

114 °C

Junction temperature

Storage temperature

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Unit

K/W

For calculation of

thJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

2011-10-06

BCX-68-16-E6327相似产品对比

	BCX-68-16-E6327	BCX-68-25-E6327
描述	Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR	Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-89-4	SOT-89-4
Transistor Polarity	NPN	NPN
Configuration	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	20 V
Collector- Base Voltage VCBO	25 V	25 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V	0.5 V
Maximum DC Collector Current	2 A	1 A
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	100 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
Continuous Collector Current	1 A	1 A
高度 Height	1.5 mm	1.5 mm
长度 Length	4.5 mm	4.5 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C	- 65 C
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	3 W	3 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000	1000
宽度 Width	2.5 mm	2.5 mm
单位重量 Unit Weight	0.004603 oz	0.004603 oz
系列 Packaging	Reel	Reel

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