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IGW03N120H2

产品描述IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小338KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IGW03N120H2概述

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

IGW03N120H2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-247AD
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)9.6 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值3.9 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)62.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)403 ns
标称接通时间 (ton)16.1 ns
Base Number Matches1

IGW03N120H2相似产品对比

IGW03N120H2 IGP03N120H2XKSA1 IGW03N120H2FKSA1
描述 IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A IGBT Transistors IGBT PRODUCTS IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-247AD - TO-247AD
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code compliant - compliant
外壳连接 COLLECTOR - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 9.6 A - 9.6 A
集电极-发射极最大电压 1200 V - 1200 V
配置 SINGLE - SINGLE
JEDEC-95代码 TO-247AD - TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL - POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称断开时间 (toff) 403 ns - 403 ns
标称接通时间 (ton) 16.1 ns - 16.1 ns
Base Number Matches 1 - 1
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