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BCX-51-16-E6327: 产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小517KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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BCX-51-16-E6327概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

BCX-51-16-E6327规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-89-4
Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V
Collector- Base Voltage VCBO	45 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Gain Bandwidth Product fT	125 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	1 A
高度 Height	1.5 mm
长度 Length	4.5 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1000 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000
宽度 Width	2.5 mm
单位重量 Unit Weight	0.004603 oz

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BCX51...-BCX53...

PNP Silicon AF Transistors

•

For AF driver and output stages

•

High collector current

•

Low collector-emitter saturation voltage

•

Complementary types: BCX54...BCX56 (NPN)

•

Pb-free (RoHS compliant) package

•

Qualified according AEC Q101

Type

BCX51

BCX51-16

BCX52

BCX52-16

BCX53

BCX53-10

BCX53-16

Marking

1=B

Pin Configuration

2=C

3=E

Package

SOT89

2011-07-29

BCX-51-16-E6327相似产品对比

	BCX-51-16-E6327	BCX-53-16-E6327	BCX-53-E6327	BCX-53-10-E6327
描述	Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR	Gate Drivers Dual 4A Hi-Spd Lo- Side Pwr MOSFET Drvr	Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR	Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 1A
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details	Details	Details	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-89-4	SOT-89-4	SOT-89-4	SOT-89-4
Transistor Polarity	PNP	PNP	PNP	PNP
Configuration	Single	Single	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	80 V	80 V	80 V
Collector- Base Voltage VCBO	45 V	100 V	100 V	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	5 V	5 V	5 V
Maximum DC Collector Current	1 A	1 A	1 A	1 A
Gain Bandwidth Product fT	125 MHz	125 MHz	125 MHz	125 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C
高度 Height	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm
长度 Length	4.5 mm	4.5 mm	4.5 mm	4.5 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C	- 65 C	- 65 C	- 65 C
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1000 mW	2000 mW	1000 mW	2000 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000	1000	1000	1000
宽度 Width	2.5 mm	2.5 mm	2.5 mm	2.5 mm
单位重量 Unit Weight	0.004603 oz	0.004603 oz	0.004603 oz	0.004603 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V	0.5 V	0.5 V	-
Continuous Collector Current	1 A	1 A	1 A	-
系列 Packaging	Reel	Reel	Reel	MouseReel

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