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BCP56-10-T3

产品描述Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE13
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共23页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BCP56-10-T3在线购买

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BCP56-10-T3概述

Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE13

BCP56-10-T3规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-4
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max80 V
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.5 V
Gain Bandwidth Product fT180 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min63
高度
Height
1.7 mm
长度
Length
6.7 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
Cut Tape
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
960 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
4000
宽度
Width
3.7 mm
单位重量
Unit Weight
0.003951 oz

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BCP56; BCX56; BC56PA
80 V, 1 A NPN medium power transistors
Rev. 9 — 25 October 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
NPN medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
Table 1.
Product overview
Package
NXP
BCP56
BCX56
BC56PA
[1]
Type number
[1]
PNP complement
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP53
BCX53
BC53PA
SOT223
SOT89
SOT1061
Valid for all available selection groups.
1.2 Features and benefits
High current
Three current gain selections
High power dissipation capability
Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)
Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Linear voltage regulators
Low-side switches
Battery-driven devices
Power management
MOSFET drivers
Amplifiers
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
h
FE
selection -10
h
FE
selection -16
[1]
Pulse test: t
p
300
s; 
= 0.02.
Conditions
open base
single pulse; t
p
1 ms
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
[1]
[1]
[1]
Min
-
-
-
63
63
100
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
80
1
2
250
160
250
Unit
V
A
A

 
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