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IDT71V65703S85BQI

产品描述256K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
产品类别存储   
文件大小498KB,共26页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT71V65703S85BQI概述

256K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119

IDT71V65703S85BQI规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量119
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.46 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间8.5 ns
加工封装描述14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1.27 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置BOTTOM
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织256K X 36
存储密度9.44E6 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数262144 words
位数256K
内存IC类型ZBT SRAM
串行并行PARALLEL
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