MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.8 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 表面贴装 | YES |
| Base Number Matches | 1 |
| SI4936DY-T1-E3 | SI4936DY-E3 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W | MOSFET 30V 5.8A 2W |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.8 A | 5.8 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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