电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IXGR50N60C2D1

产品描述IGBT Transistors 35 Amps 600V 2.5 V Rds
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小505KB,共7页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IXGR50N60C2D1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IXGR50N60C2D1 - - 点击查看 点击购买

IXGR50N60C2D1概述

IGBT Transistors 35 Amps 600V 2.5 V Rds

IXGR50N60C2D1规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
ISOPLUS247-3
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current75 A
Continuous Collector Current Ic Max75 A
高度
Height
21.34 mm
长度
Length
16.13 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
宽度
Width
5.21 mm
单位重量
Unit Weight
0.186952 oz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 15  220  292  1247  1288 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved