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BF422

产品描述50mA, 250V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BF422概述

50mA, 250V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

BF422规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1531626382
零件包装代码TO-92
包装说明CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 29-11
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionBipolar Transistors - BJT 500mA 250V NPN
Samacsys Manufactureronsemi
Samacsys Modified On2023-11-24 16:37:08
YTEOL0
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz

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BF420, BF422
High Voltage Transistors
NPN Silicon
Features
Pb−Free Package is Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector −Emitter Voltage
Collector −Base Voltage
Emitter −Base Voltage
Collector Current − Continuous
Collector Current − Peak
Total Device Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
830
6.6
T
J
, T
stg
−55 to +150
mW
mW/°C
°C
1
2
3
http://onsemi.com
COLLECTOR
2
BF420
300
300
5.0
50
100
BF422
250
250
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mA
1
EMITTER
3
BASE
MARKING
DIAGRAM
TO−92
CASE 29
STYLE 14
BF42x
AYWW
G
G
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Thermal Resistance,
Junction−to−Lead
Symbol
R
qJA
150
R
qJL
68
°C/W
Max
Unit
°C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. Mounted on a FR4 board with 200 mm
2
of 1 oz copper and lead length of
5 mm.
BF42x = Device Code
x = 0 or 2
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
BF420ZL1
BF420ZL1G
BF422
BF422G
Package
TO−92
TO−92
(Pb−Free)
TO−92
TO−92
(Pb−Free)
TO−92
TO−92
(Pb−Free)
TO−92
TO−92
(Pb−Free)
Shipping
2000/Ammo Box
2000/Ammo Box
5000 Units/Box
5000 Units/Box
BF422RL1
BF422RL1G
BF422ZL1
BF422ZL1G
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
2000/Tape & Reel
2000/Tape & Reel
2000/Ammo Pack
2000/Ammo Pack
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Publication Order Number:
BF420/D
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
1
October, 2005 − Rev. 4

BF422相似产品对比

BF422 FP52SP-2083-CB50Q BF420ZL1G
描述 50mA, 250V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN Fixed Resistor, Metal Film, 0.4W, 208000ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 50ppm/Cel, Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合
Reach Compliance Code not_compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e0 e1
端子数量 3 2 3
最高工作温度 150 °C 160 °C 150 °C
封装形状 ROUND CYLINDRICAL PACKAGE ROUND
封装形式 CYLINDRICAL Axial CYLINDRICAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Objectid 1531626382 240986050 -
零件包装代码 TO-92 - TO-92
包装说明 CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN - LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
针数 3 - 3
制造商包装代码 CASE 29-11 - CASE 29-11
最大集电极电流 (IC) 0.05 A - 0.05 A
集电极-发射极最大电压 250 V - 300 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 - 50
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
元件数量 1 - 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
峰值回流温度(摄氏度) 235 - 260
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W - 0.83 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 60 MHz - 60 MHz
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