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BFN-26-E6433

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小526KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BFN-26-E6433在线购买

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BFN-26-E6433概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS

BFN-26-E6433规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max300 V
Collector- Base Voltage VCBO300 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Maximum DC Collector Current0.2 A
Gain Bandwidth Product fT70 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current0.2 A
高度
Height
1 mm
长度
Length
2.9 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
360 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
宽度
Width
1.3 mm
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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BFN24, BFN26
NPN Silicon High-Voltage Transistors
Suitable for video output stages in TV sets
and switching power supplies
High breakdown voltage
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type: BFN27 (PNP)
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
3
1
2
Type
BFN24
BFN26
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
BFN24
BFN26
Collector-base voltage
BFN24
BFN26
Emitter-base voltage
Collector current
Marking
FHs
FJs
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
2=E
Symbol
V
CEO
250
300
V
CBO
250
300
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
6
200
500
100
200
360
150
Package
SOT23
SOT23
Value
Unit
V
3=C
3=C
mA
Peak collector current,
t
p
10 ms
Base current
Peak base current
Total power dissipation-
T
S
74 °C
Junction temperature
Storage temperature
mW
°C
-65 ... 150
1
2011-12-19

BFN-26-E6433相似产品对比

BFN-26-E6433 BFN-24-E6327
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
RoHS Details Details
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3 SOT-23-3
Transistor Polarity NPN NPN
Configuration Single Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V 250 V
Collector- Base Voltage VCBO 300 V 250 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V 6 V
Maximum DC Collector Current 0.2 A 0.2 A
Gain Bandwidth Product fT 70 MHz 70 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Continuous Collector Current 0.2 A 0.2 A
高度
Height
1 mm 1 mm
长度
Length
2.9 mm 2.9 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C - 65 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
360 mW 360 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000 24000
宽度
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