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SI4320DY-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 25A 3.5W 3.0mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小163KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4320DY-T1-E3在线购买

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SI4320DY-T1-E3概述

MOSFET 30V 25A 3.5W 3.0mohm @ 10V

SI4320DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.003 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SI4320DY-T1-E3相似产品对比

SI4320DY-T1-E3 SI4320DY-T1
描述 MOSFET 30V 25A 3.5W 3.0mohm @ 10V MOSFET 30V 25A 1.6W
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1
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