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BC337-16-AP

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN -0.8A 0.625W
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小421KB,共4页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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BC337-16-AP在线购买

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BC337-16-AP概述

Bipolar Transistors - BJT NPN -0.8A 0.625W

BC337-16-AP规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
MCC
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Transistor PolarityNPN
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current- 0.8 A
系列
Packaging
Ammo Pack
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
0.625 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
20000
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz

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MCC
Features
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
BC337-16/25/40
BC338-16/25/40
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
TO-92
A
E
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Collector-base Voltage :V
CBO
=50V(BC337) , V
CBO
=30V(BC338)
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
Operating temperature : -55 to +150
Storage temperature : -55 to +150
Maximum Ratings
Electrical Characteristics @ 25
Symbol
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=0)
BC337
BC338
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100µAdc, I
E
=0)
BC337
BC338
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=10µAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=45Vdc,I
E
=0)
BC337
(V
CB
=25Vdc,I
E
=0)
BC338
Collector Cutoff Current
(V
CE
=40Vdc,I
B
=0)
BC337
(V
CE
=20Vdc,I
B
=0)
BC338
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=4.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=300mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc,I
B
=50mAdc)
Current-Gain-Bandwidth Product
(V
CE
=5.0V, f=100MHz, I
C
=10mA)
Collector Output Capacitance
(VCB=10V,IE=0,f=1MHZ)
Unless Otherwise Specified
Min
Max
---
45
25
---
Vdc
Units
Vdc
B
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
C
V
(BR)EBO
I
CBO
50
30
5.0
---
Vdc
µAdc
---
---
---
---
---
0.1
0.1
µAdc
0.2
0.2
0.1
I
CEO
D
I
EBO
µAdc
C
E
ON CHARACTERISTICS
h
FE(1)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
60
---
---
---
0.7
1.2
--
Vdc
Vdc
INCHES
MIN
.175
.175
.500
.016
.135
.095
.173
C
B
B
E
G
STRAIGHT LEAD BENT LEAD
BULK PACK
AMMO PACK
DIMENSIONS
MM
MAX
.185
.185
---
.020
.145
.105
.220
MIN
4.45
4.45
12.70
0.41
3.43
2.42
4.40
MAX
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
5.60
NOTE
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
C
ob
210
---
15(TYP)
MHz
pF
DIM
A
B
C
D
E
G
hFE CLASSIFICATION
Classification
h
FE(2)
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
Marking Code
16
100~250
A 011
25
160~400
B 011
40
250~630
C 011
Straight Lead
Bent Lead
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website
of product packaging for details.
www.mccsemi.com
Revision:
G
1 of
4
2015/03/31

BC337-16-AP相似产品对比

BC337-16-AP BC337-25-AP BC337-AP
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN -0.8A 0.625W Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Bipolar Transistors - BJT NPN -0.8A 0.625W
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
MCC MCC MCC
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3 TO-92-3 TO-92
Transistor Polarity NPN NPN NPN
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C + 150 C
Continuous Collector Current - 0.8 A 0.8 A - 0.8 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
0.625 W 625 mW 0.625 W
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz 0.016000 oz 0.016000 oz
RoHS Details Details -
系列
Packaging
Ammo Pack Ammo Pack -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
20000 20000 -
路由器安装
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