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BSC160N10NS3-G: 产品描述IMUs - Inertial Measurement Units 6-Axis 950uA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小543KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IMUs - Inertial Measurement Units 6-Axis 950uA

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TDSON-8
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	42 A
Rds On - Drain-Source Resistance	13.9 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Qg - Gate Charge	25 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
系列 Packaging	MouseReel
Fall Time	5 ns
Forward Transconductance - Min	21 S
高度 Height	1.27 mm
长度 Length	5.9 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	60 W
Rise Time	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	5000
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns
宽度 Width	5.15 mm
单位重量 Unit Weight	0.003527 oz

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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