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BR24G256-3

产品描述EEPROM Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
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文件大小1MB,共37页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24G256-3概述

EEPROM Zener Diode, 100mW, 2 Pin.

BR24G256-3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys DescriptionEEPROM Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
其他特性SEATED HT-CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.7 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.0025 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

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Datasheet
Serial EEPROM Series Standard EEPROM
I
2
C BUS EEPROM (2-Wire)
BR24G256-3
General Description
BR24G256-3 is a 256Kbit serial EEPROM of I
2
C BUS Interface Method
Features
Completely conforming to the world standard I
2
C
BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock
(SCL) and serial data (SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to
the same port, saving microcontroller port
1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most
suitable for battery use
1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible
FAST MODE 400kHz operation
Up to 64 Byte in Page Write Mode
Bit Format 32K x 8
Self-timed Programming Cycle
Low Current Consumption
Prevention of Write Mistake
Write (Write Protect) Function added
Prevention of Write Mistake at Low Voltage
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Initial delivery state FFh
Packages
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)
DIP-T8
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm
SSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm
SOP8
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
TSSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm
SOP- J8M
4.90mm x 6.00mm x 1.80mm
TSSOP-B8M
3.00mm x 6.40mm x 1.10mm
Figure 1.
SOP- J8
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm
Figure 1.
○Product
structure:Silicon monolithic integrated circuit
www.rohm.com
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111½14½001
○This
product has no designed protection against radioactive rays
1/33
TSZ02201-0R2R0G100240-1-2
14.Mar.2016 Rev.006

BR24G256-3相似产品对比

BR24G256-3 BR24G256FJ-3GTE2 BR24G256FV-3GTE2
描述 EEPROM Zener Diode, 100mW, 2 Pin. EEPROM EEPROM Serial-I2C 256Kb EEPROM I2C BUS 256K 32768 8bit EEPROM
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 DIP, DIP8,.3 LSOP, LSSOP,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
其他特性 SEATED HT-CALCULATED SEATED HT-CALCULATED SEATED HT-CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
字数 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP LSOP LSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 3.7 mm 1.65 mm 1.35 mm
串行总线类型 SPI I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V 1.6 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 3.9 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) - ROHM(罗姆半导体)
Factory Lead Time - 11 weeks 11 weeks
长度 - 4.9 mm 4.4 mm
Base Number Matches - 1 1

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