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SI2311DS-T1-GE3

产品描述MOSFET 8.0V 3.5A 0.96W 45mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小105KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI2311DS-T1-GE3在线购买

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SI2311DS-T1-GE3概述

MOSFET 8.0V 3.5A 0.96W 45mohm @ 4.5V

SI2311DS-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)160 pF
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si2311DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
-8
R
DS(on)
(Ω)
0.045 at V
GS
= - 4.5 V
0.072 at V
GS
= - 2.5 V
0.120 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 3.5
- 2.8
- 2.0
FEATURES
Halogen-free Option Available
TrenchFET
®
Power MOSFET
RoHS
APPLICATIONS
• Load Switch
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
S
2
D
Top View
Si2311DS (C1)*
* Marking Code
Ordering Information:
Si2311DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2311DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
Maximum Power Dissipation
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 0.8
0.96
0.62
- 55 to 150
- 3.5
- 2.8
- 10
- 0.6
0.71
0.46
W
°C
5s
-8
±8
- 3.0
- 2.4
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
100
140
60
Maximum
130
175
75
°C/W
Unit
Document Number: 71813
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08
www.vishay.com
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