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TSM2NB60CP-ROG

产品描述MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小517KB,共10页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM2NB60CP-ROG概述

MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet

TSM2NB60CP-ROG规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Taiwan Semiconductor
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current2 A
Rds On - Drain-Source Resistance3 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Qg - Gate Charge9.4 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Reel
Forward Transconductance - Min1.5 S
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
44 W
Rise Time9.8 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time17.4 ns
Typical Turn-On Delay Time9.1 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz

TSM2NB60CP-ROG相似产品对比

TSM2NB60CP-ROG TSM2NB60CH-C5G
描述 MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
制造商
Manufacturer
Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3 TO-251-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V 600 V
Id - Continuous Drain Current 2 A 2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 3 Ohms 3.9 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V 2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V 10 V
Qg - Gate Charge 9.4 nC 9.4 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Configuration Single Single
Channel Mode Enhancement Enhancement
系列
Packaging
Reel Tube
Forward Transconductance - Min 1.5 S 1.5 S
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
44 W 44 W
Rise Time 9.8 ns 9.8 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500 1875
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 17.4 ns 17.4 ns
Typical Turn-On Delay Time 9.1 ns 9.1 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz 0.012102 oz
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