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BR24C21FV-E2

产品描述RF Connectors / Coaxial Connectors Str PCB Skt
产品类别存储    存储   
文件大小973KB,共22页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24C21FV-E2概述

RF Connectors / Coaxial Connectors Str PCB Skt

BR24C21FV-E2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明ROHS COMPLIANT, SSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010XXXR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e2
长度4.4 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.25 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)4 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

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Datasheet
Standard EEPROMs
Plug & Play EEPROMs
(for Display)
BR24C21xxx Series (1K)
●General
Description
TM
TM
BR24C21F,BR24C21FJ,BR24C21FV are serial EEPROMs that support DDC1 /DDC2 interfaces for Plug and Play
displays
●Features
TM
TM
Compatible with both DDC1 /DDC2
Operating voltage range: 2.5V to 5.5V
Page write function: 8bytes
Low power consumption
Active (at 5V)
: 1.5mA (typ)
Stand-by (at 5V) : 0.1µA (typ)
Address auto increment function during Read
operation
Data security
Write enable feature (VCLK)
Write protection at low Vcc
Initial data=FFh
Data retention: 10years
Rewriting possible up to 100,000 times
●Packages
W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)
DIP-T8
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm
SOP8
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
SOP- J8
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm
SSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm
●BR24C21xxx
series
Capacity
Type
1Kbit
BR24C21
Power source Voltage
2.5V to 5.5V
DIP-T8
SOP8
SOP-J8
SSOP-B8
●Absolute
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Supply Voltage
V
CC
Ratings
-0.3 to +6.5
800(DIP-T8)
450 (SOP8)
450 (SOP-J8)
350(SSOP-B8)
-65 to +125
-40 to +85
-0.3 to Vcc+0.3
Unit
V
Remarks
When using at Ta=25℃ or higher 8.0mW to be reduced per 1℃.
Power Dissipation
Pd
mW
When using at Ta=25℃ or higher 4.5mW to be reduced per 1℃.
When using at Ta=25℃ or higher 4.5mW to be reduced per 1℃.
When using at Ta=25℃ or higher 3.5mW to be reduced per 1℃.
Storage Temperature
Operating Temperature
Terminal Voltage
Tstg
Topr
V
●Memory
cell characteristics
Parameter
Write/Erase Cycle
Data Retention
Min.
100,000
10
Limits
Typ.
Max
Unit
Times
Years
○Product
structure:Silicon monolithic integrated circuit
.
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111・14・001
○This
product is not designed protection against radioactive rays
1/18
TSZ02201-0R2R0G100270-1-2
30.Oct.2012 Rev.002
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