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SI3434DV-T1

产品描述MOSFET 30V 6.1A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小88KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI3434DV-T1概述

MOSFET 30V 6.1A

SI3434DV-T1规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
RoHSNo
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-6
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000705 oz

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Si3434DV
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.034 at V
GS
= 4.5 V
0.050 at V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6.1
5.0
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• 2.5 V Rating for 30 V N-Channel
• Low R
DS(on)
for Footprint Area
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
TSOP-6
Top View
1
6
• Li-lon Battery Protection
(1, 2, 5, 6) D
3 mm
2
5
(3) G
3
4
2.85 mm
(4) S
Ordering Information:
Si3434DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3434DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
6.1
4.9
30
1.0
1.14
0.73
W
°C
5s
30
± 12
4.6
3.6
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
40
90
25
Maximum
62.5
110
30
°C/W
Unit
Document Number: 71610
S09-0766-Rev. B, 04-May-09
www.vishay.com
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