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SI5933CDC-T1-E3

产品描述MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小250KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI5933CDC-T1-E3在线购买

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SI5933CDC-T1-E3概述

MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V

SI5933CDC-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.7 A
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻0.144 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SI5933CDC-T1-E3相似产品对比

SI5933CDC-T1-E3 SI5933CDC-T1-GE3
描述 MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V USB Interface IC USB to Serial UART Enhanced IC QFN-32
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.7 A 3.7 A
最大漏极电流 (ID) 2.5 A 2.5 A
最大漏源导通电阻 0.144 Ω 0.144 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XDSO-C8 R-PDSO-F8
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.8 W 2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 PURE MATTE TIN Pure Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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