MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC
| 参数名称 | 属性值 |
| 产品种类 Product Category | MOSFET |
| 制造商 Manufacturer | Infineon(英飞凌) |
| RoHS | Details |
| 技术 Technology | Si |
| 安装风格 Mounting Style | Through Hole |
| 封装 / 箱体 Package / Case | TO-220-3 |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 64 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 13.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Qg - Gate Charge | 19 nC |
| Configuration | Single |
| 系列 Packaging | Tube |
| 高度 Height | 15.65 mm |
| 长度 Length | 10 mm |
| Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 90 W |
| 工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 3000 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| 宽度 Width | 4.4 mm |
| 单位重量 Unit Weight | 0.211644 oz |
| IRF3704PBF | IRF3704STRLPBF | IRF3704LPBF | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK | MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 |
| FET 类型 | - | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | - | 20V | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 77A（Tc） | 77A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 9 毫欧 @ 15A，10V | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 4.5V | 19nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | - | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1996pF @ 10V | 1996pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | - | 87W（Tc） | 87W（Tc） |
| 工作温度 | - | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | - | 表面贴装 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | - | D2PAK | TO-262 |
| 封装/外壳 | - | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
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