Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
参数名称 | 属性值 |
产品种类 Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
制造商 Manufacturer | NXP(恩智浦) |
RoHS | Details |
安装风格 Mounting Style | SMD/SMT |
封装 / 箱体 Package / Case | SSmini-6 |
Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Gain Bandwidth Product fT | 210 MHz |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 150 C |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
DC Current Gain hFE Max | 220 at 1 mA at 2 V |
高度 Height | 0.6 mm |
长度 Length | 1.7 mm |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 65 C |
系列 Packaging | Reel |
系列 Packaging | Cut Tape |
系列 Packaging | MouseReel |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 900 mW |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 4000 |
宽度 Width | 1.3 mm |
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