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PBSS4220V115

产品描述Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小281KB,共14页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PBSS4220V115概述

Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

PBSS4220V115规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SSmini-6
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max20 V
Collector- Base Voltage VCBO20 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current2 A
Gain Bandwidth Product fT210 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min120
DC Current Gain hFE Max220 at 1 mA at 2 V
高度
Height
0.6 mm
长度
Length
1.7 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
900 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
4000
宽度
Width
1.3 mm

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