Flash Memory 64 Mbit Boot Block 3V STD Flash
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3/e6 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8,127 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 4/8 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 8K,64K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN/TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
| M29W640FB70N6E | M29W640FT70ZA6E | |
|---|---|---|
| 描述 | Flash Memory 64 Mbit Boot Block 3V STD Flash | Flash Memory STD FLASH 64 MEG |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TSOP | BGA |
| 包装说明 | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 | TFBGA, BGA48,6X8,32 |
| 针数 | 48 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A |
| 最长访问时间 | 70 ns | 70 ns |
| 备用内存宽度 | 8 | 8 |
| 启动块 | BOTTOM | TOP |
| 命令用户界面 | YES | YES |
| 通用闪存接口 | YES | YES |
| 数据轮询 | YES | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e3/e6 | e1 |
| 长度 | 18.4 mm | 8 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 部门数/规模 | 8,127 | 8,127 |
| 端子数量 | 48 | 48 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | TFBGA |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 | BGA48,6X8,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小 | 4/8 words | 4/8 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 部门规模 | 8K,64K | 8K,64K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN/TIN BISMUTH | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | GULL WING | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 切换位 | YES | YES |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 12 mm | 6 mm |
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