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MUN5212T1G

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共12页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MUN5212T1G概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V

MUN5212T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码419-04
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID324654
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategorySOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint NameSC-70 (SOT-323) CASE419-04
Samacsys Released Date2016-05-26 14:22:21
Is SamacsysN
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.31 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MUN5212T1G相似产品对比

MUN5212T1G NSVMUN2212T1G NSBC124EF3T5G
描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V Bluetooth / 802.15.1 Modules Bluetooth 4.1 module w/ built in antenna Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3 3
制造商包装代码 419-04 318D-04 524AA
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 60
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.31 W 0.338 W 0.297 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
零件包装代码 SC-70 SC-59 -
Factory Lead Time 1 week 1 week -
最高工作温度 150 °C - 150 °C
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
Base Number Matches 1 - 1

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