BR24G16FVM-3AGTTR,BR24G16FVM-3AGTTR pdf中文资料,BR24G16FVM-3AGTTR引脚图,BR24G16FVM-3AGTTR电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> BR24G16FVM-3AGTTR

BR24G16FVM-3AGTTR: 产品描述EEPROM I2C BUS 16K 2048 8bit EEPROM; 产品类别存储存储; 文件大小809KB，共37页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

BR24G16FVM-3AGTTR在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	BR24G16FVM-3AGTTR	-	-	点击查看	点击购买

BR24G16FVM-3AGTTR概述

EEPROM I2C BUS 16K 2048 8bit EEPROM

BR24G16FVM-3AGTTR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	VSSOP,
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	11 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	2.9 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	0.9 mm
串行总线类型	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

BR24G16FVM-3AGTTR相似产品对比

	BR24G16FVM-3AGTTR	BR24G16FVJ-3AGTE2	BR24G16NUX-3ATTR
描述	EEPROM I2C BUS 16K 2048 8bit EEPROM		Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 22uF 6.3volts *Derate Voltage/Temp
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	VSSOP,	TSSOP,	HVSON,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
Factory Lead Time	11 weeks	11 weeks	11 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz	1 MHz	0.4 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	S-PDSO-G8	R-PDSO-N8
长度	2.9 mm	3 mm	3 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
字数	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP	TSSOP	HVSON
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	0.9 mm	1.1 mm	0.6 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.6 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	NO LEAD
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	2.8 mm	3 mm	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	-
Base Number Matches	1	1	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多