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UMX3NTR

产品描述Analog Switch ICs Dual 10-Ohm SPDT Analog Switch
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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UMX3NTR在线购买

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UMX3NTR概述

Analog Switch ICs Dual 10-Ohm SPDT Analog Switch

UMX3NTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1

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General purpose (dual transistors)
EMX3 / UMX3N / IMX3
Features
Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package.
Inner
circuits
EMX3 / UMX3N
(3)
(2)
(1)
Dimensions
(Unit : mm)
EMX3
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
0.13
IMX3
(4)
(5)
(6)
1.2
1.6
Tr
2
Tr
1
Tr
2
Tr
1
ROHM : EMT6
Each lead has same dimensions
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
UMX3N
(4)
(3)
0.65
1.3
1.1
0.9
0.2
0.5
(6)
(1)
1.25
2.1
0.5 0.5
1.0
1.6
0.8
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.65
Package,
marking, and packaging specifications
Type
Package
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
0.15
0~0.1
0.1Min.
Each lead has same dimensions
Absolute
maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
EEMX3 / UMX3N
IMX3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
mA
mW
IMX3
(6)
∗1
∗2
0.3
(5)
(4)
Junction temperature
Storage temperature
∗1
120mW per element must not be exceeded.
∗2
200mW per element must not be exceeded.
°C
°C
0.15
1.6
2.8
0.3Min.
ROHM : SMT6
EIAJ : SC-74
0~0.1
Each lead has same dimensions
Electrical
characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
∗Transition
frequency of the device.
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
60
50
7
120
Typ.
180
2
Max.
0.1
0.1
0.4
560
3.5
Unit
V
V
V
μA
μA
V
MHz
pF
I
C
=50μA
I
C
=1mA
I
E
=50μA
V
CB
=60V
V
EB
=7V
Conditions
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=−2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
www.rohm.com
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
(3)
(2)
(1)
1/3
2011.12 - Rev.B
2.0
(5)
(2)

 
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