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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MURT10005R
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MURT10005R

产品描述50V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小352KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
标准  
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MURT10005R概述

50V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package

MURT10005R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid8183984642
包装说明R-PUFM-X3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流1500 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MURT10005 thru MURT10020R
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 200 V V
RRM
• Isolation Type Package
• Electrically Isolated base plate
• Not ESD Sensitive
Three Tower Package
V
RRM
= 50 V - 200 V
I
F(AV)
= 100 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MURT10005(R)
50
35
50
-55 to 150
-55 to 150
MURT10010(R)
100
71
100
-55 to 150
-55 to 150
MURT10020(R)
200
141
200
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current (per
leg)
Maximum instantaneous
forward voltage (per leg)
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Maximum reverse recovery
time (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
Conditions
T
C
= 140 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 50 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MURT10005(R)
100
1500
1.0
25
1
75
MURT10010(R)
100
1500
1.0
25
1
75
MURT10020(R)
100
1500
1.0
25
1
75
Unit
A
A
V
μA
mA
nS
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case (per leg)
R
ΘJC
1.0
1.0
1.0
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/
1

MURT10005R相似产品对比

MURT10005R MURT10010R MURT10020R MURT10020
描述 50V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package 100V 100A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Package Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3 R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流 1500 A 1500 A 1500 A 1500 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 50 A 50 A 50 A 50 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 50 V 100 V 200 V 200 V
最大反向电流 25 µA 25 µA 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs 0.075 µs 0.075 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER

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