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GBPC3508W-G

产品描述Bridge Rectifiers GBPCW GPP 35A 800V Rect. Bridge Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共2页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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GBPC3508W-G概述

Bridge Rectifiers GBPCW GPP 35A 800V Rect. Bridge Diode

GBPC3508W-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明S-XUFM-W4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压800 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码S-XUFM-W4
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Surface Mount Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBPC15/25/35/50 -G SERIES
"-G" : RoHS Device
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000Volts
FORWARD
CURRENT
- 15/25/35/50Amperes
GBPC
METAL HEAT SINK
.335(8.5)
.295(7.5)
.925(23.5)
.886(22.5)
FEATURES
Surge
overload -300~450 amperes peak
Low
forward voltage drop
Mounting
position :Any
Electrically
isolated base-2000 Vlots
Solderable
0.25" FASTON terminals
Materials
used carries U/L recognition
G
0.94
(2.4)
diam
G
.035(0.9)
.028(0.7)
Hole for
No.8 screw
193"(4.9)diam
.254(6.45)
.242(6.15)
1.133(28.8)
1.114(28.3)
.661(16.8)
.648(16.4)
.720(18.3)
.705(17.9)
.661(16.8)
.648(16.4)
1.133(28.8)
1.114(28.3)
.571(14.5)
.555(14.1)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load 60Hz.
For capacitive load, derate current by 20%
GBPC
GBPC
1501
2501
3501
5001
100
70
15
GBPC
15
I
FSM
300
GBPC
25
GBPC
1502
2502
3502
5002
200
140
25
350
GBPC
1504
2504
3504
5004
400
280
GBPC
1506
2506
3506
5006
600
420
35
GBPC
35
400
GBPC
50
GBPC
1508
2508
3508
5008
800
560
GBPC
1510
2510
3510
5010
1000
700
50
450
V
V
A
UNIT
15005
SYMBOL
25005
35005
50005
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Output Current
@ T
C
=55℃
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop Per Element
at 7.5/12.5/17.5/25.0 A Peak
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage Per Element
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
A
=25℃
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10
-55 to +150
-55 to +150
V
μA
V
RRM
V
RMS
I
(AV)
50
35
CHARACTERISTICS
A
MDS0905013A
Page 1

GBPC3508W-G相似产品对比

GBPC3508W-G GBPC3508-G GBPC5006W-G GBPC5008W-G
描述 Bridge Rectifiers GBPCW GPP 35A 800V Rect. Bridge Diode Flip Flops Dual CMOS Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 10uF 50volts X7R +/-10% Soft Term Switching Voltage Regulators HIGH EFF 1A STEP- DOWN VLTG REG
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology
包装说明 S-XUFM-W4 R-XUFM-D4 S-XUFM-W4 S-XUFM-W4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 800 V 800 V 600 V 800 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 S-XUFM-W4 R-XUFM-D4 S-XUFM-W4 S-XUFM-W4
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 450 A 450 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 35 A 35 A 50 A 50 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE RECTANGULAR SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 800 V 800 V 600 V 800 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE SOLDER LUG WIRE WIRE
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1
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