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IS42S16800E-6TLI

产品描述DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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文件大小839KB,共61页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS42S16800E-6TLI概述

DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V

IS42S16800E-6TLI规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM
Data Bus Width16 bit
Organization8 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-54
Memory Size128 Mbit
Maximum Clock Frequency166 MHz
Access Time5.4 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V
Supply Current - Max150 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
系列
Packaging
Tray
高度
Height
1 mm
长度
Length
22.22 mm
Moisture SensitiveYes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
108
宽度
Width
10.16 mm

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