RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 465E-04 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 68 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 225 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 151 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
MRF6S21050LR3 | MRF6S21050LSR3 | |
---|---|---|
描述 | RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L | RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
针数 | 2 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 465E-04 | CASE 465F-04 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 68 V | 68 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | S BAND | S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 225 °C | 225 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 151 W | 151 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved