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MRF6S21050LR3

产品描述RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小427KB,共11页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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MRF6S21050LR3概述

RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L

MRF6S21050LR3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
制造商包装代码CASE 465E-04
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压68 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度225 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)151 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF6S21050LR3相似产品对比

MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
描述 RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2
针数 2 2
制造商包装代码 CASE 465E-04 CASE 465F-04
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 68 V 68 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFP-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 225 °C 225 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 151 W 151 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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