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FMMT5210TC

产品描述Bipolar Transistors - BJT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小27KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMT5210TC概述

Bipolar Transistors - BJT

FMMT5210TC规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Diodes
RoHSNo
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Collector- Base Voltage VCBO50 V
Emitter- Base Voltage VEBO4.5 V
Maximum DC Collector Current0.05 A
Gain Bandwidth Product fT30 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min200 at 100 uA at 5 V, 250 at 1 mA at 5 V, 250 at 10 mA at 5 V
DC Current Gain hFE Max200 at 100 uA at 5 V
高度
Height
1 mm
长度
Length
3.05 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
330 mW
宽度
Width
1.4 mm
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
SMALL SIGNAL TRANSISTORS
ISSUE 2 - JULY 1995
PARTMARKING DETAILS:
FMMT5209 - 2Q
FMMT5210 - 2R
7
FMMT5209
FMMT5210
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
FMMT5210
MAX.
50
50
700
850
200
250
250
30
600
3
4
Output Capacitance
C
obo
4
250
900
2
3
4
MHz
MHz
dB
dB
pF
600
FMMT5209
50
50
4.5
50
330
-55 TO +150
SOT23
FMMT5210
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Collector-Base
Cut-Off Current
Emitter-Base
Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter ON
Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(on)
h
FE
100
150
150
30
150
FMMT5209
MIN.
50
50
700
850
300
MAX. MIN.
UNIT CONDITIONS.
nA
nA
mV
mV
V
CB
=35V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=1mA, V
CE
=5V
I
C
=100
µ
A, V
CE
=5V
I
C
=1mA, V
CE
=5V
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=0.5mA, V
CE
=5V,
f=20MHz
I
C
=1mA, V
CE
=5V, f=1KHz
I
C
=200
µ
A, V
CE
=5V, R
g
=2K
,
f=30Hz to 15KHz at -3dB
points
I
C
=200
µ
A, V
CE
=5V, R
g
=2K
,
f=1KHz to
f=200Hz
V
CB
=5V, I
E
=0, f=140KHz
Transition Frequency f
T
Small Signal Current h
fe
Transfer Ratio
Noise Figure
N
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