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1N6707R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6707R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1

1N6707R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明O-XXSO-G1
针数1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XXSO-G1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
相数1
端子数量1
最大输出电流20 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.04 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N6707R相似产品对比

1N6707R PPR1310
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, Silicon, DO-4,
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 O-XXSO-G1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XXSO-G1 O-MUPM-D1
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 150 A 400 A
相数 1 1
端子数量 1 1
最大输出电流 20 A 25 A
封装主体材料 UNSPECIFIED METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.04 µs 0.035 µs
表面贴装 YES NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING SOLDER LUG
端子位置 UNSPECIFIED UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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