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NTR3161NT1G

产品描述MOSFET NFET SOT23 20V TR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTR3161NT1G概述

MOSFET NFET SOT23 20V TR

NTR3161NT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOT-23
包装说明LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数3
制造商包装代码318-08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)3.3 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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NTR3161N
Power MOSFET
20 V, 3.3 A, Single N−Channel, SOT−23
Features
Low R
DS(on)
Low Gate Charge
Low Threshold Voltage
Halide−Free
This is a Pb−Free Device
http://onsemi.com
V
(BR)DSS
R
DS(on)
MAX
50 mW @ 4.5 V
20 V
63 mW @ 2.5 V
87 mW @ 1.8 V
I
D
MAX
3.3 A
3.0 A
2.5 A
Applications
DC−DC Conversion
Battery Management
Load/Power Switch
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage
Continuous Drain
Current (Note 1)
t
30 s
t
10 s
Power Dissipation
(Note 1)
Steady
State
t
10 s
Pulsed Drain Current
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
stg
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
6.4
−55
to
150
0.65
260
A
°C
A
°C
I
D
Symbol
V
DSS
V
GS
Value
20
±8
3.3
2.3
4.0
0.82
W
A
Unit
V
V
SIMPLIFIED SCHEMATIC
N−CHANNEL
D
G
S
3
1
2
SOT−23
CASE 318
STYLE 21
MARKING DIAGRAM/
PIN ASSIGNMENT
3
Drain
Operating Junction and Storage Temperature
Source Current (Body Diode)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8” from case for 10 s)
TRCMG
G
1
1
Gate
2
Source
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
TRC
= Specific Device Code
M
= Date Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction−to−Ambient
Steady State (Note 1)
Junction−to−Ambient
t
30 s
Junction−to−Ambient
t < 10 s (Note 1)
Symbol
R
qJA
R
qJA
R
qJA
Max
260
153
100
Unit
°C/W
°C/W
°C/W
ORDERING INFORMATION
Device
NTR3161NT1G
Package
SOT−23
(Pb−Free)
Shipping
3000/Tape & Reel
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq
[2 oz] including traces).
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
June, 2008
Rev. 0
1
Publication Order Number:
NTR3161N/D
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