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GDZ9V1B-V-GS18

产品描述Zener Diodes 9.1 Volt 0.2 Watt 2%
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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GDZ9V1B-V-GS18在线购买

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GDZ9V1B-V-GS18概述

Zener Diodes 9.1 Volt 0.2 Watt 2%

GDZ9V1B-V-GS18规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW IMPEDANCE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差2.1%
工作测试电流5 mA

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GDZ-Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
FEATURES
• Silicon planar Zener diodes
• Low Zener impedance and low leakage current
• Popular in Asian designs
• Compact surface mount device
• Ideal for automated mounting
• AEC-Q101 qualified available
• ESD capability according to AEC-Q101:
human body model > 8 kV
machine model > 800 V
Available
PRIMARY CHARACTERISTICS
PARAMETER
V
Z
range nom.
Test current I
ZT
V
Z
specification
Int. construction
VALUE
2.0 to 36
5
Pulse current
Single
UNIT
V
mA
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
ORDERING INFORMATION
DEVICE NAME
ORDERING CODE
GDZ2V0B-E3-08 to GDZ36B-E3-08
3000 (8 mm tape on 7" reel)
GDZ2V0B-HE3-08 to GDZ36B-HE3-08
GDZ-series
GDZ2V0B-E3-18 to GDZ36B-E3-18
10 000 (8 mm tape on 13" reel)
GDZ2V0B-HE3-18 to GDZ36B-HE3-18
10 000/box
15 000/box
TAPED UNITS PER REEL
MINIMUM ORDER QUANTITY
PACKAGE
PACKAGE NAME
SOD-323
WEIGHT
4.3 mg
MOLDING COMPOUND
FLAMMABILITY RATING
UL 94 V-0
MOISTURE SENSITIVITY
LEVEL
MSL level 1
(according J-STD-020)
SOLDERING CONDITIONS
260 °C/10 s at terminals
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
TEST CONDITION
SYMBOL
P
tot
T
j
T
stg
T
op
VALUE
200
150
-55 to +150
-55 to +150
UNIT
mW
°C
°C
°C
Rev. 2.2, 03-Nov-16
Document Number: 85766
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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