M93C86-WBN6,M93C86-WBN6 pdf中文资料,M93C86-WBN6引脚图,M93C86-WBN6电路-Datasheet-电子工程世界

M93C86-WBN6: 产品描述EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16); 产品类别存储存储; 文件大小194KB，共32页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

M93C86-WBN6在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	M93C86-WBN6	-	-	点击查看	点击购买

M93C86-WBN6概述

EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16)

M93C86-WBN6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	PLASTIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
长度	9.27 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	SOFTWARE

M93C86-WBN6相似产品对比

	M93C86-WBN6	M93C76-BN6	M93C76-WMN6
描述	EEPROM 16K (2Kx8 or 1Kx16)	EEPROM 8K (1Kx8 or 512x16)	EEPROM 8K (1Kx8 or 512x16)
是否Rohs认证	符合	不符合	符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC
包装说明	PLASTIC, DIP-8	PLASTIC, DIP-8	0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
针数	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
备用内存宽度	8	8	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz	2 MHz	2 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	9.27 mm	9.27 mm	4.9 mm
内存密度	16384 bit	8192 bit	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
字数	1024 words	512 words	512 words
字数代码	1000	512	512
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1KX16	512X16	512X16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL
电源	3/5 V	5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm	5.33 mm	1.75 mm
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A	0.000015 A	0.00001 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	0.0015 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	4.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多