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1N3600

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N3600概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching

1N3600规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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F
EATURES
1N3600
1N3600
AVAILABLE IN
JAN, JANTX, AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/231
S
WITCHING
D
IODE
M
ETALLURGICALLY
B
ONDED
H
ERMETICALLY
S
EALED
D
OUBLE
P
LUG
C
ONSTRUCTION
M
AXIMUM
R
ATINGS AT
25
°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Surge Current A, sine 1uS:
Surge Current B, sine 1S:
Total Power Dissipation:
Operating Current:
-65°C to +175°C
-65°C to +175°C
4.0A
0.5A
500mW
200mA, T
A
= +25°C to +75°C
Derating Factor:
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
2mA/°C above T
L
(3/8”)= +75°C
50V
DC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
V
F
Ambient
(°C)
I
F
mA
Min Max Ambient
V
V
(°C)
I
R
V (dc)
Min Max Ambient
µA
µA
(°C)
V
BR
I
R
µA
Min Max
V
V
25
25
25
25
25
1
10
50
100
200
.54
.66
.76
.82
.87
.62
.74
.86
.92
1.00
25
150
50
50
-
-
0.1
100
25
10
75
-
D
ESIGN
D
ATA
Case:
Hermetically sealed glass package per MIL-
PRF-19500/231 DO-7 outline
Lead Material:
Copper clad steel
Lead Finish:
Tin/Lead
Thermal Resistance (R
θJL
):
250°C/W maximum
at L=.375”
Thermal Impedance (Z
θJX
):
70°C/W maximum
Marking:
Alpha numeric.
Polarity:
Cathode end is banded.
AC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS AT
25°C
Symbol
Capacitance
@ 0V
T
RR
@ I
F
=I
R
=10mA,
I
Rec
= 1mA.
V
FR
@ I
F
= 200mA
T
FR
@ I
F
= 200mA
pF
nsec
V
nsec
Min
-
-
-
-
Max
2.5
4
5
10
I
RELAND -
G
ORT
R
OAD
,
E
NNIS,
C
O.
C
LARE
PHONE:
TOLL FREE:
FAX:
+353 65 6840044
+186 62 702434
+353 65 6822298
WWW.MICROSEMI.COM
U.S.A. D
OMESTIC
S
ALES
C
ONTACT
PHONE:
TOLL FREE:
(617) 926 0404
1 800 666 2999

1N3600相似产品对比

1N3600 BLU1206P-1112-CT50 FP55S48-2290-DT25W P-0603K2640BSTS
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Res,SMT,Thin Film,11.1K Ohms,150WV,.25% +/-Tol,50ppm TC,1206 Case Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 229ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 25ppm/Cel, Fixed Resistor, Thin Film, 0.15W, 264ohm, 75V, 0.1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 155 °C 160 °C 155 °C
封装形式 LONG FORM SMT Axial SMT
是否Rohs认证 不符合 - 符合 符合
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
JESD-609代码 e0 - e3 e3
最低工作温度 -65 °C - -55 °C -55 °C
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Objectid - 851804498 240356249 960020596
Country Of Origin - Taiwan Mainland China USA
YTEOL - 7.55 7.05 8.1
构造 - Chip Cylindrical Rectangular
封装长度 - 3.2 mm 6.3 mm 1.6256 mm
包装方法 - TR TR TR
额定功率耗散 (P) - 0.25 W 0.5 W 0.15 W
电阻 - 11100 Ω 229 Ω 264 Ω
电阻器类型 - FIXED RESISTOR FIXED RESISTOR FIXED RESISTOR
技术 - THIN FILM METAL FILM THIN FILM
温度系数 - 50 ppm/°C 25 ppm/°C 100 ppm/°C
容差 - 0.25% 0.5% 0.1%
工作电压 - 150 V 250 V 75 V
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