EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 包装说明 | LSOP, SOP8,.25 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 0.1MHZ AT 1.8MIN |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 32768 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.65 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| BR24L32FJ-WE1 | BR24L32FV-WE1 | BR24L32F-WE1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, | EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
| 包装说明 | LSOP, SOP8,.25 | LSSOP, TSSOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 0.1MHZ AT 1.8MIN | IT ALSO OPERATES AT 0.1MHZ AT 1.8MIN | IT ALSO OPERATES AT 0.1MHZ AT 1.8MIN |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 | 40 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e2 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.4 mm | 5 mm |
| 内存密度 | 32768 bit | 32768 bit | 32768 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 4096 words | 4096 words | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 | 4000 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 4KX8 | 4KX8 | 4KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSOP | LSSOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | TSSOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | NOT SPECIFIED | 225 |
| 电源 | 2/5 V | 2/5 V | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.65 mm | 1.35 mm | 1.71 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A | 0.000002 A | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Copper (Sn/Cu) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.65 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm | 3 mm | 4.4 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
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