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BCY65EPQ

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小32KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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BCY65EPQ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3

BCY65EPQ规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码TO-92
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
最大关闭时间(toff)800 ns
最大开启时间(吨)150 ns
Base Number Matches1
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