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5962-9317702VTX

产品描述FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
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文件大小2MB,共20页
制造商e2v technologies
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5962-9317702VTX概述

FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

5962-9317702VTX规格参数

参数名称属性值
厂商名称e2v technologies
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
周期时间40 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T28
长度27.94 mm
内存密度147456 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX9
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度3.94 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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Features
First-in First-out Dual Port Memory
16384 bits x 9 Organization
Fast Flag and Access Times: 15, 30 ns
Wide Temperature Range: - 55°C to + 125°C
Fully Expandable by Word Width or Depth
Asynchronous Read/Write Operations
Empty, Full and Half Flags in Single Device Mode
Retransmit Capability
Bi-directional Applications
Battery Back-up Operation: 2V Data Retention
TTL Compatible
Single 5V ± 10% Power Supply
QML Q and V with SMD 5962-93177
Description
The M67206F implements a first-in first-out algorithm, featuring asynchronous
read/write operations. The FULL and EMPTY flags prevent data overflow and under-
flow. The Expansion logic allows unlimited expansion in word size and depth with no
timing penalties. Twin address pointers automatically generate internal read and write
addresses, and no external address information is required. Address pointers are
automatically incremented with the write pin and read pin. The 9 bits wide data are
used in data communications applications where a parity bit for error checking is nec-
essary. The Retransmit pin resets the Read pointer to zero without affecting the write
pointer. This is very useful for retransmitting data when an error is detected in the
system.
Using an array of eight transistors (8T) memory cell, the M67206F combines an
extremely low standby supply current (typ = 0.1
µA)
with a fast access time at 15 ns
over the full temperature range. All versions offer battery backup data retention capa-
bility with a typical power consumption at less than 2
µW.
The M67206F is processed according to the methods of the latest revision of the MIL
PRF 38535 (Q and V) or ESA SCC 9000.
Rad. Tolerant
High Speed
16 Kb x 9
Parallel FIFO
M67206F
Rev. 4143F–AERO–06/02
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