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1.2KE9.0

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小225KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1.2KE9.0概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

1.2KE9.0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压12.2 V
最小击穿电压10 V
击穿电压标称值11 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压16.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压9 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
【转贴】16 bits to packed BCD, 51 ASM. 61周期/80字节
TEST_NUMEQU 65432ORG 000HMOV R2, #LOW(TEST_NUM) ; #11111111B MOV R3, #HIGH(TEST_NUM); #11111111B ; 65535CALL BIN2BCDSJMP $;==============================BIN2BCD:;------------------ ......
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