Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 100V V(RRM), Silicon, G111, 2 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | G111, 2 PIN |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | G111 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 25 weeks |
| 应用 | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.875 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 35 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 3.3 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/477 |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V |
| 最大反向电流 | 1 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.025 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 |
| JAN1N5804 | JAN1N5806 | JAN1N5807 | 1808N180J202PW | 1812H0250824FXT | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 100V V(RRM), Silicon, G111, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 150V V(RRM), Silicon, G111, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, G112, 2 PIN | Ceramic Capacitor, Ceramic, 2000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, -/+30ppm/Cel TC, 0.000018uF, 1808, | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 1% +Tol, 1% -Tol, X7R, 15% TC, 0.82uF, Surface Mount, 1812, CHIP |
| 包装说明 | G111, 2 PIN | G111, 2 PIN | G112, 2 PIN | , 1808 | , 1812 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknown | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | SMT | SMT |
| 针数 | 2 | 2 | 2 | - | - |
| 制造商包装代码 | G111 | G111 | G112 | - | - |
| 应用 | SUPER FAST RECOVERY | SUPER FAST RECOVERY | SUPER FAST RECOVERY | - | - |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | - | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | - |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | - |
| 最大正向电压 (VF) | 0.875 V | 0.875 V | 0.875 V | - | - |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | - | - |
| 最大非重复峰值正向电流 | 35 A | 35 A | 125 A | - | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | - |
| 相数 | 1 | 1 | 1 | - | - |
| 最大输出电流 | 3.3 A | 3.3 A | 6 A | - | - |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS | - | - |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | - | - |
| 认证状态 | Qualified | Qualified | Qualified | - | - |
| 参考标准 | MIL-19500/477 | MIL-19500/477 | MIL-19500/477 | - | - |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V | 150 V | 50 V | - | - |
| 最大反向电流 | 1 µA | 1 µA | 5 µA | - | - |
| 最大反向恢复时间 | 0.025 µs | 0.025 µs | 0.03 µs | - | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | - | YES |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | - | - |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | - | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - | - |
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