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BFP650: 产品描述C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共29页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BFP650概述

C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

	BFP650	BFP650E6327HTSA1
描述	C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	compli	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY, LOW NOISE	HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
外壳连接	EMITTER	EMITTER
最大集电极电流 (IC)	0.15 A	0.15 A
基于收集器的最大容量	0.4 pF	0.4 pF
集电极-发射极最大电压	4 V	4 V
配置	SINGLE	SINGLE
最高频带	C BAND	C BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	37000 MHz	37000 MHz

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ