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1N5821ID

产品描述3A, 30V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小205KB,共10页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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1N5821ID概述

3A, 30V, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5821ID规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

1N5821ID相似产品对比

1N5821ID 1N5822ID 1N5820ID
描述 3A, 30V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3A, 20V, SILICON, RECTIFIER DIODE
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.9 V 0.95 V 0.85 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A 80 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V 20 V
最大反向电流 2000 µA 2000 µA 2000 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1
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