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IDT7132LA100L52

产品描述Multi-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
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文件大小471KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7132LA100L52概述

Multi-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CQCC52, LCC-52

IDT7132LA100L52规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码LCC
包装说明LCC-52
针数52
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQCC-N52
JESD-609代码e0
长度19.05 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC52,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.2098 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度19.05 mm
Base Number Matches1
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