IS61LP12832-166BI,IS61LP12832-166BI pdf中文资料,IS61LP12832-166BI引脚图,IS61LP12832-166BI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS61LP12832-166BI: 产品描述Cache SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小121KB，共15页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61LP12832-166BI概述

Cache SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

IS61LP12832-166BI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	PLASTIC, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.41 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IS61LP12832-166BI相似产品对比

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描述	Cache SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 128KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	QFP	BGA	BGA	QFP	BGA	QFP
包装说明	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100
针数	119	119	100	119	119	100	119	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.1 ns	3.1 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	20 mm	22 mm	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	32	32	32	36	36	36	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	100	119	119	100	119	100
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	128KX32	128KX32	128KX32	128KX36	128KX36	128KX36	128KX32	128KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	LQFP	BGA	BGA	LQFP	BGA	LQFP
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.41 mm	2.41 mm	1.6 mm	2.41 mm	2.41 mm	1.6 mm	2.41 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.02 A	0.015 A	0.02 A	0.015 A	0.02 A	0.02 A	0.015 A	0.02 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.3 mA	0.29 mA	0.3 mA	0.29 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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