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K4B1G1646G-BCNB0

产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
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文件大小2MB,共64页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4B1G1646G-BCNB0概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

K4B1G1646G-BCNB0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA96,9X16,32
针数96
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.18 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)1066 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度13.3 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织64MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA96,9X16,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.5 mm
Base Number Matches1

K4B1G1646G-BCNB0相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96 DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 DDR DRAM, 64MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 TFBGA, BGA96,9X16,32 FBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA96,9X16,32 FBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 0.18 ns 0.255 ns 0.195 ns 0.255 ns 0.225 ns 0.3 ns 0.225 ns
最大时钟频率 (fCLK) 1066 MHz 667 MHz 933 MHz 667 MHz 800 MHz 533 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16
端子数量 96 96 96 96 96 96 96
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000
组织 64MX16 64MX16 64MX16 64MX16 64MX16 64MX16 64MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA FBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA FBGA
封装等效代码 BGA96,9X16,32 BGA96,9X16,32 BGA96,9X16,32 BGA96,9X16,32 BGA96,9X16,32 BGA96,9X16,32 BGA96,9X16,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA - BGA BGA BGA BGA -
针数 96 - 96 96 96 96 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
长度 13.3 mm - 13.3 mm 13.3 mm 13.3 mm 13.3 mm -
功能数量 1 - 1 1 1 1 -
端口数量 1 - 1 1 1 1 -
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 95 °C - 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C -
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm -
自我刷新 YES - YES YES YES YES -
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V - 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V - 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V -
温度等级 OTHER - OTHER OTHER OTHER OTHER -
宽度 7.5 mm - 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm -
最大待机电流 - 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 - 0.17 mA 0.195 mA 0.17 mA 0.195 mA 0.14 mA 0.195 mA

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