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HSCH5531

产品描述SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小12KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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HSCH5531概述

SIGNAL DIODE

HSCH5531规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型SIGNAL DIODE

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HSCH5531
BEAM LEAD SCHOTTKY DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI HSCH5531
is a Low Barrier
Beam Lead Schottky Diode Designed
for K-Band Mixer Applications.
PACKAGE STYLE 711
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
25 mA
4.0 V
150 mW @ T
A
= 25 °C
-65 °C to +175 °C
-65 °C to +200 °C
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
V
F
V
F
I
R
R
D
R
D
C
T
C
T
TSS
γ
R
V
I
R
= 10
µA
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 1.0 mA
V
R
= 1.0 V
I
F
= 5.0 mA
I
F
= 5.0 mA
V
R
= 0 V
V
R
= 0 V
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
4.0
TYPICAL
MAXIMUM
375
10
100
20
3.0
UNITS
V
mV
mV
nA
pF
pF
dBm
mV/µW
MΩ
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
f = 10 GHz
R
L
= 10 MΩ
-46
17
1.4
0.10
0.02
Zero Bias, Zero Bias,
P
IN
= -30 dBm
Video Badwidth = 2.0 MHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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