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MIG15Q806H

产品描述N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小320KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MIG15Q806H概述

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MIG15Q806H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-P24
元件数量6
端子数量24
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)600 ns
标称接通时间 (ton)150 ns

MIG15Q806H相似产品对比

MIG15Q806H MIG15Q806HA
描述 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 25 A 25 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-P24 R-XUFM-P24
元件数量 6 6
端子数量 24 24
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 600 ns 600 ns
标称接通时间 (ton) 150 ns 150 ns

 
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